特許

J-GLOBAL ID：200903046478210430

キャパシタの製造方法

発明者： 大野 圭一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-299007
公開番号（公開出願番号）：特開平9-121033
出願日： 1995年10月24日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】【課題】 キャパシタ絶縁膜の一部として自然酸化膜が形成されるのを抑制して、容量が大きく信頼性も高いキャパシタを製造する。【解決手段】 不純物を含有する多結晶Si膜15を下部電極の形状に加工し、不純物を含有しない多結晶Si膜31で多結晶Si膜15の表面の少なくとも一部を覆った後、これらの多結晶Si膜15、31を覆うキャパシタ絶縁膜を形成する。その際、不純物を含有していない多結晶Si膜31では増速酸化がないので、この多結晶Si膜31が形成されている多結晶Si膜15の側面では、自然酸化膜が形成されにくい。

請求項（抜粋）：

一方の電極と他方の電極とがキャパシタ絶縁膜を介して対向しているキャパシタの製造方法において、不純物を含有する第1の半導体膜とこの第1の半導体膜の表面の少なくとも一部を覆っており不純物を含有しない第2の半導体膜とで前記一方の電極を形成する工程と、前記第1及び第2の半導体膜を覆う前記キャパシタ絶縁膜を形成する工程とを具備することを特徴とするキャパシタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/04 C