特許

J-GLOBAL ID：200903046482184524

エッチング中の線幅制御を含む集積回路の作製方法

発明者： タエホー クック ,  アヴィノン コーンブリット ,  コラウォール ラーマン オラスポ
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-325583
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078758
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】 本発明はエッチング中の線幅制御を含む集積回路の作製方法を提供する。【構成】 レジストから下の層へのパターン転写が、臭化水素及び酸素を含むプラズマ中で、レジストをエッチングすることにより、実現される。

請求項（抜粋）：

基板上に第1の材料の層を形成する工程;第1の材料の前記層を、フォトレジストの第2の材料の層で被覆し、前記第2の層は平坦化層である工程;第2の材料の前記層を、レジストで被覆し、前記第2の材料は、前記レジストの選択的露出に用いられる放射の反射を減す工程;前記レジストの一部を、放射に選択的に露出する工程;酸素とハロゲン及びハロゲン化水素から成る類から選択された少くとも1つの成分を含むプラズマ中で、前記平坦化層をエッチングし、前記少くとも1つの成分及び前記酸素は、前記材料の一部を露出するエッチング中、レジストの寸法の変化を最小にするような組成を有する工程を含む集積回路作製の方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  C23F 4/00 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/30 578 ,  H01L 21/30 573 ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/302 H