特許

J-GLOBAL ID：200903046483970523

強誘電体メモリ

発明者： 渡辺 均 ,  黒田 吉己 ,  田所 かおる
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社 ,  シメトリックス・コーポレーション
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-254378
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111318
出願日： 1993年10月12日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：

【要約】【目的】この発明は、酸化物強誘電体表面の還元反応、変質を阻止するとともに、MOSシンター工程において強誘電体薄膜と上下電極間の剥離を防止することを主要な目的とする。【構成】半導体基板(1) と、この基板(1) 上に設けられ、下部電極(10),酸化物強誘電体薄膜(11),上部電極(12)の順次積層して構成される誘電体薄膜キャパシタ(9) と、このキャパシタ(9) 表面に被覆された、アルミニウム,シリコンもしくはチタンの窒化物薄膜を主要な構成要素とする保護膜(12)とを具備したことを特徴とする強誘電体メモリ。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この基板上に設けられ、下部電極,酸化物強誘電体薄膜,上部電極の順次積層して構成される強誘電体薄膜キャパシタと、このキャパシタ表面に被覆された、アルミニウム,シリコンもしくはチタンの窒化物薄膜を主要な構成要素とする保護膜とを具備したことを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (6件)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-093065
  
• 特開平4-181766