特許

J-GLOBAL ID：200903046486074383

半導体装置とその製法

発明者： 田原 傑
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-309590
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140396
出願日： 1992年10月23日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 高精度の配線形成を可能にする。【構成】 半導体基板10の表面を覆う絶縁膜12の上にポリSi、WSi2、Al又はAl合金等の導電材層14Aを形成した後、層14Aの表面に反射防止膜として窒化シリコン膜16Aを被着する。膜16Aの上にレジスト層18Aを形成した後、層18Aにフォトリソグラフィ処理を施すことにより所望の配線パターンに対応してレジスト層18を残存させる。層18をエッチングマスクとして膜16Aを選択的にエッチングすることにより層18に対応して窒化シリコン膜を残存させる。レジスト層18及び残存する窒化シリコン膜をエッチングマスクとして又は層18の除去後に残存する窒化シリコン膜をエッチングマスクとして層14Aを選択的にエッチングすることにより層14Aの残存部からなる配線層を得る。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面が光反射性を有する導電材層と、この導電材層の表面に被着された反射防止膜とを有する配線をそなえた半導体装置において、前記反射防止膜を窒化シリコン膜で構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/302

FI (2件)：

H01L 21/88 C ,  H01L 21/30 361 T

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-144916
  
• 特開平1-241125
  
• 特開平4-144230