特許

J-GLOBAL ID：200903046488960364

光触媒材料

発明者： 島井 曜 ,  宮内 雅浩
出願人/特許権者： 東陶機器株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-085565
公開番号（公開出願番号）：特開2004-290794
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】従来報告されたp型ZnOでは、キャリア密度はいずれも1014(cm-3)以上と高い。光触媒として使用する場合、光励起した電子正孔対が光触媒反応に利用されるが、p型キャリアである正孔が1014(cm-3)以上と多くなりすぎると、キャリア同士の散乱が顕著になり、光触媒活性を抑制してしまう。【解決手段】バンドギャップが2.8eV以上で、キャリア密度が1013(cm-3)以下のp型光半導体を含むことを特徴とする光触媒材料を提供する。前記p型光半導体がZnOが好ましい。【選択図】なし。

請求項（抜粋）：

バンドギャップが2.8eV以上で、キャリア密度が1013(cm-3)以下のp型光半導体を含むことを特徴とする光触媒材料。

IPC (6件)：

B01J35/02 ,  B01J23/06 ,  C09D5/00 ,  C09D201/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

FI (6件)：

B01J35/02 J ,  B01J23/06 M ,  C09D5/00 Z ,  C09D201/00 ,  C23C14/08 C ,  C23C14/34 M

Fターム (34件)：

4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA14B ,  4G069BA48A ,  4G069BB01A ,  4G069BB01B ,  4G069BB04A ,  4G069BB04B ,  4G069BC35A ,  4G069BC35B ,  4G069BD06A ,  4G069BD06B ,  4G069CA10 ,  4G069CD10 ,  4G069EC27 ,  4G069FA03 ,  4G069FB02 ,  4J038CD091 ,  4J038DL031 ,  4J038HA141 ,  4J038KA04 ,  4J038KA08 ,  4J038MA08 ,  4J038MA10 ,  4J038PB02 ,  4J038PB07 ,  4K029AA09 ,  4K029BA49 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029EA05