深さ方向の元素分布分析方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-023196
公開番号（公開出願番号）：特開2000-221148
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】イオンビームの入射イオンの試料表面に対する入射角度を小さくした場合の試料表面におけるビームの入射方向への広がりの影響を抑制し、試料表面で入射イオンの濃度が飽和するまでの時間を短くし、入射イオンを低エネルギー化した場合のビーム径の広がりによる影響を抑制し、妨害二次イオンを抑制し、深さ精度が良好な深さ方向の元素分布分析方法を提供すること。【解決手段】試料2表面の分析したい部分以外の表面を取り除き、前記試料2表面の残された部分を上面とする突起3を形成し、前記試料2表面に対して10度以下の入射角度で、前記突起3にイオンビームを照射してスパッタしながら、前記スパッタにより発生する粒子を検出して前記試料2中の元素分布を表面から深さ方向に分析する深さ方向の元素分布分析方法とする。

請求項（抜粋）：

試料表面の分析したい部分以外の表面を取り除き、前記試料表面の残された部分を上面とする突起を形成し、前記試料表面に対して10度以下の入射角度で、前記突起にイオンビームを照射してスパッタしながら、前記スパッタにより発生する粒子を検出して前記試料中の元素分布を表面から深さ方向に分析することを特徴とする深さ方向の元素分布分析方法。

IPC (3件)：

G01N 23/225 , G01N 1/28 , G01N 1/32

FI (3件)：

G01N 23/225 , G01N 1/32 B , G01N 1/28 G

Fターム (28件)：

2G001AA05 , 2G001AA09 , 2G001BA06 , 2G001BA08 , 2G001BA09 , 2G001BA30 , 2G001CA05 , 2G001DA01 , 2G001GA06 , 2G001GA08 , 2G001GA09 , 2G001GA13 , 2G001JA08 , 2G001KA01 , 2G001LA02 , 2G001LA11 , 2G001MA05 , 2G001NA07 , 2G001NA10 , 2G001NA11 , 2G001NA15 , 2G001NA17 , 2G001PA07 , 2G001PA12 , 2G001RA02 , 2G001RA04 , 2G001RA08 , 2G001RA10

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平4-019954
特開昭63-238542
特開昭55-133740

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