特許
J-GLOBAL ID：200903046505312487
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-266645
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097502
出願日： 1992年09月09日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 高速応答と高輝度の発光出力が得られる半導体発光素子を提供する。【構成】 n型GaAs基板1上にn型GaAsバッファ層2、n型Al0.45Ga0.55Asクラッド層3、p型GaAs活性層4、p型Al0.45Ga0.55As低濃度クラッド層5、p型Al0.45Ga0.55As高濃度クラッド層6を有機金属気相成長法にて順次積層し、n型GaAs基板1の全面とp型Al0.45Ga0.55As高濃度クラッド層6の略中央位置にそれぞれ電極を取り付けることにより、発光ダイオード素子として使用することができる。
請求項（抜粋）：
発光層をこの発光層よりも禁制帯幅が広くかつ互いに伝導型の異なる結晶層にて挟むように接合してなるダブルへテロ構造を有し、基板面と反対側から光を出力する半導体発光素子において、前記結晶層のうち少なくとも一方の結晶層は、電気伝導度の低い発光層側の第1の結晶層と電気伝導度の高い外側の第2の結晶層との二つの結晶層とで構成されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
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