特許

J-GLOBAL ID：200903046506737074

半導体装置

発明者： 布施 晃広
出願人/特許権者： 株式会社リコー ,  リコー応用電子研究所株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-097176
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291114
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】 製造工程が少ない単層で、水素含有量が少なく、かつ、応力が小さく耐湿性に優れたパッシベーション膜を実現する。【構成】 シリコン窒化膜4中に含まれる水素がN-H結合状態およびSi-H結合状態で存在し、N-H結合状態の水素量とSi-H結合状態の水素量の比である(N-H)/(Si-H)の値をシリコン窒化膜の表面側で基板側より小さくした。これによりシリコン窒化膜は、基板側で応力が緩和され、表面側で水素の取り込みを防止でき、単層で特性の良いパッシベーション膜を得ることができる。また、シリコン窒化膜はECR-CVD法で形成しているので、膜質劣化の原因となる水素の含有量を少なくすることができる。

請求項（抜粋）：

金属配線層上にシリコン窒化膜を有する半導体装置において、前記シリコン窒化膜における膜中含有水素がN-H結合状態およびSi-H結合状態で存在し、前記N-H結合状態の水素量と前記Si-H結合状態の水素量との比である(N-H)/(Si-H)の値が前記シリコン窒化膜の表面側で基板側より小さいことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31