特許
J-GLOBAL ID：200903046508006280
磁気浮上プロセス装置
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-167170
公開番号（公開出願番号）：特開平6-010143
出願日： 1992年06月25日
公開日（公表日）： 1994年01月18日
要約：
【要約】【目的】プロセスプラズマ装置に関し、通常中央部に局在する傾向のあるプラズマを以ってしても、大面積の基板に均一成膜することを可能にする。【構成】基板ホルダ6に永久磁石7を取付け、磁石7を浮上させることにより、非接触で基板を回転・移動させる。【効果】均一な成膜が可能となる。
請求項（抜粋）：
放電ガスが導入され、プラズマを生成するプラズマ生成室と前記プラズマ生成室に磁場を発生する磁場発生手段と、前記プラズマ生成室にマイクロ波を導入するための導波管を有し、前記マイクロ波と前記プラズマ生成室内の前記磁場との共鳴作用により生成したマイクロ波放電プラズマを用いて、前記プラズマ生成室内に設置された試料に薄膜形成や表面処理を行うプラズマプロセス装置において、前記試料を支持するホルダに永久磁石を装着し、前記磁場発生手段の発生する前記磁場との相互作用によって前記試料ホルダを一体で浮上させ、前記永久磁石で構成されたガイドレールで前記ホルダの浮上高さを一定とし、前記プラズマ生成室外部に新たな外部コイルを設け、磁気浮上している前記試料を薄膜形成中に並進あるいは回転させることを特徴とする磁気浮上プロセス装置。
IPC (4件)：
C23C 16/50
, C23C 16/44
, C23C 14/34
, H05H 1/46
