特許
J-GLOBAL ID：200903046515154189
エッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-055956
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094493
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 エッチングしようとする酸化物薄膜とマスク材とのエッチング選択比が大きく、エッチング異方性が大きく、エッチング表面のモルフォロジーの劣化が小さく、エッチング前後での薄膜の物性変化が小さく、汎用性がある酸化物薄膜の微細な加工に適したエッチング方法を提供する。【構成】 酸化物薄膜を有機レジスト膜でマスクし、これをイオンミリング法でエッチングするに際し、エッチングガスとしてクリプトンガス、キセノンガス、臭素ガス、ヨウ素ガス、6フッ化硫黄及び4フッ化炭素から選ばれる一種以上を含むガスを用い、エッチング溝深さをD、有機レジストの膜厚をtとしたとき、これらの関係が下記式、【数1】t < 10Dを満足するようにするエッチング方法。
請求項（抜粋）：
酸化物薄膜を有機レジスト膜でマスクし、これをイオンミリング法でエッチングするに際し、エッチングガスとしてクリプトンガス、キセノンガス、臭素ガス、ヨウ素ガス、6フッ化硫黄及び4フッ化炭素から選ばれる一種以上を含むガスを用い、エッチング溝深さをD、有機レジストの膜厚をtとしたとき、これらの関係が下記式、【数1】t < 10Dを満足するようにすることを特徴とするエッチング方法。
IPC (2件)：
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