特許
J-GLOBAL ID：200903046516004253

CMOSイメージセンサ

発明者：
関根 弘一

関根 弘一 について


出願人/特許権者：
岩手東芝エレクトロニクス株式会社

岩手東芝エレクトロニクス株式会社 について

, 
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (3件)： 大胡 典夫 ,  竹花 喜久男 ,  宇治 弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-289789
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128193
出願日： 2002年10月02日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】画素部の素子や配線等の効率的配置により集積度を向上させ、水平、垂直方向の解像度を向上させることができるCMOSイメージセンサを提供する。【解決手段】対をなす2つのフォトダイオードPDa,PDbを有する複数のユニットセルCeを、二次元的に水平方向、垂直方向それぞれに配列ピッチPh0,Pv0で略格子状に配置してなるもので、一方のフォトダイオードPDaを二次元的に水平方向、垂直方向それぞれに画素ピッチPh0,Pv0で略格子状に配置すると共に、一方のフォトダイオードPDaに対し水平方向、垂直方向共に前記画素ピッチPh0,Pv0の略半分(Ph0/2,Pv0/2)だけ水平方向、垂直方向にずらした状態で他方のフォトダイオードPDbを二次元的に略格子状に配置し、対をなす2つのフォトダイオードPDa,PDbを斜め方向に隣接させるようにする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
対をなす2つの画素を有する複数のユニットセルを、二次元的に水平方向、垂直方向それぞれに所定ピッチで略格子状に配置してなるCMOSイメージセンサにおいて、前記画素の一方の画素を二次元的に水平方向、垂直方向それぞれに所定画素ピッチで略格子状に配置すると共に、前記一方の画素に対し水平方向、垂直方向共に前記画素ピッチの略半分だけ水平方向、垂直方向にずらした状態で前記画素の他方の画素を二次元的に略格子状に配置し、対をなす2つの前記画素を斜め方向に隣接させるようにしたことを特徴とするCMOSイメージセンサ。
IPC (2件)：
H01L27/146 ,  H04N5/335
FI (3件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 U
Fターム (14件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA22 ,  4M118DD12 ,  4M118FA01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  5C024CX41 ,  5C024CY33 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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