特許

J-GLOBAL ID：200903046516041361

紫外光センサ

発明者： 大吉 啓司 ,  楠田 幸久 ,  田中 修平 ,  山本 晃永
出願人/特許権者： 日本板硝子株式会社 ,  浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 大野 精市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-179519
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038138
出願日： 1993年07月21日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【構成】 単結晶Si基板上にスパッタ法によりITO膜を50nm堆積し、続いてプラズマCVD法によりn型a-SiC:H膜を20nm、真性a-SiC:H膜を50nm、p型a-SiC:H膜を5nmそれぞれ成膜した後、最後にITO膜を50nm堆積した。a-SiC:H半導体接合ダイオードと単結晶Si基板との間に透明導電膜ITOを設けることで、500nm〜800nmの波長領域の光感度を50%以上低下させた。【効果】 紫外域での光感度が高く、可視〜赤外域の光感度を抑制した紫外光センサを低コストで実現することができる。

請求項（抜粋）：

非晶質半導体接合ダイオードと半導体基板との間に導電膜を設けることを特徴とする紫外光センサ。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/31 D