特許
J-GLOBAL ID：200903046517623496
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-239438
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078358
出願日： 1994年09月06日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 低抵抗なシリサイドを形成することができ、しかもゲート酸化膜耐圧の劣化をも抑制することのできる、半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 シリコン基体11表面または多結晶シリコン13表面上に、第1の金属からなる第1の金属層19を堆積させる工程と、第1の金属層19の上に第2の金属からなる第2の金属層20を堆積させる工程と、これら第1、第2の金属層とシリコン基体11または多結晶シリコン13とを反応させてシリコン合金物16を形成する工程と、シリコン上に残された未反応の金属あるいは合金層を除去する工程とを備えた半導体装置の製造方法。第1の金属が、チタンとコバルトとから選択されたいずれか一方の金属であり、第2の金属が他方の金属である。
請求項（抜粋）：
シリコン基体表面または多結晶シリコン表面上に、第1の金属からなる第1の金属層を堆積させる工程と、該第1の金属層の上に第2の金属からなる第2の金属層を堆積させる工程と、これら第1、第2の金属層と前記シリコン基体または多結晶シリコンとを反応させてシリコン合金物を形成する工程と、シリコン上に残された未反応の金属あるいは合金層を除去する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/3205
