特許

J-GLOBAL ID：200903046518327629

縦型電界効果トランジスタ

発明者： 沢田 雅己
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-167665
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012877
出願日： 1996年06月27日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】チャネル領域がU字型のトレンチの側面に設けられた縦型トランジスタのソース・ドレイン間耐圧等の低下を抑制する。【解決手段】P型ベース領域104を貫通するトレンチ124aaでは、P型ベース領域104の上面とトレンチ124aaの側面とがなす角,トレンチ124aaの側面と底面とがなす角が、それぞれ丸められている。

請求項（抜粋）：

高濃度一導電型のシリコン基板の表面を覆う低濃度一導電型のエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層の表面に設けられた逆導電型のベース領域と、格子状でU字型の姿態を有し、前記ベース領域の上面に上端を有し、該ベース領域を貫通して前記エピタキシャル層中に底面を有し、該上端における該ベース領域の上面とのなす角が丸められている側面を有し、さらに該側面と該底面とのなす角が丸められてなるトレンチと、少なくとも前記トレンチの側面並びに底面を直接に覆うゲート酸化膜と、前記ゲート酸化膜を介して少なくとも前記トレンチを充填するゲート電極と、前記トレンチの上端周辺の前記ベース領域の表面に設けられた高濃度一導電型のソース領域とを有することを特徴とする縦型電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/76

FI (3件)：

H01L 29/78 653 A ,  H01L 21/76 L ,  H01L 29/78 652 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭56-058267
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-284338   出願人：株式会社東芝
• 特開平1-192174
  
• 特開平2-051279