シリコン半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-071788
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260639
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】ベベル型またはメサ型のシリコン高耐圧サイリスタペレットの側部端面にチャンネルストップ層を形成し、長期信頼性を向上させる。【解決手段】シリコンサイリスタペレットを、主接合形成後、周辺部に局所的にプロトンをイオン打ち込みし低温熱処理し結晶中のプロトンを局所的にドナ化させ低抵抗のチャンネルストップ層を形成する。【効果】シリコン基板のパターニングの困難な結晶内部の場所に、簡単なプロセスでチャンネルストップ層が形成できる。

請求項（抜粋）：

少なくともpnp3層構造より成り、pn接合がシリコン基板の側部端面に露出しているシリコン半導体基体において、上記pn接合を形成するn型層の厚み方向の中心付近でペレットの外周部に局所的にプロトン(水素イオン)をイオン注入して熱処理し抵抗率を低下させチャンネルストップ層を形成したことを特徴とするシリコン半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/74 , H01L 21/265 , H01L 21/324

FI (4件)：

H01L 29/74 F , H01L 21/324 Z , H01L 21/265 F , H01L 29/74 Q

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