特許

J-GLOBAL ID：200903046525349140

化合物半導体装置の製造方法

発明者： 江川 満 ,  藤井 卓也
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-320426
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236465
出願日： 1995年12月08日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【課題】化合物半導体層を所定の領域に選択成長する工程を含む化合物半導体装置の製造方法に関し、選択成長する場合の選択成長比を成長中に制御して所望の化合物半導体層の膜厚又は組成分布を得ること。【解決手段】前記基板11の表面近傍に生じる原料種の淀み層20の厚さと気相中の原料種sの平均自由行程との比を第1の値に設定して前記選択成長マスクM11〜M24に覆われない領域に前記第1の化合物半導体層を成長する工程と、前記比を第2の値に変えて第2の化合物半導体層を前記第1の化合物半導体層の上に選択成長する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

選択成長マスクが形成された基板の表面に気相成長法により化合物半導体層を形成することにより、該基板表面のうち該選択成長マスクに近い領域に形成される化合物半導体層の成長速度或いは組成と遠い領域に形成される該化合物半導体層の成長速度或いは組成とを異ならせる工程を含む化合物半導体装置の製造方法において、前記基板の表面近傍に生じる原料種の淀み層の厚さと気相中の原料種の平均自由行程との比を第1の値に設定して前記選択成長マスクに覆われない領域に前記第1の化合物半導体層を成長する工程と、前記比を第2の値に変えて第2の化合物半導体層を前記第1の化合物半導体層の上に選択成長する工程とを有することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01S 3/18 ,  C23C 16/04

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01S 3/18 ,  C23C 16/04