特許

J-GLOBAL ID：200903046527155482

積層形状構造の不良解析方法およびその装置

発明者： 小西 潤子 ,  坂田 正雄 ,  有賀 誠 ,  小野 眞
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-197295
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041366
出願日： 1996年07月26日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】異物等の不良要因の解析を行い、製造途中で構造の変化を解析でき、早期に製造工程への条件のフィードバックを行う。【解決手段】半導体製造途中に撮像した画像データを製造工程順に重ねることにより積層のデバイス形状を計算機上で構築する。この時、実際の形状データを用いる。

請求項（抜粋）：

半導体製造途中で撮像した2次元の製品画像データをデータベースに格納し、上記データベースから所望のデータを取り出し、各製造工程の特性データを加味して、上記2次元の画像データを3次元の形状構造として作成し、実際の形状を計算機上に構築することを特徴とする積層形状構造の不良解析方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G06F 17/50 ,  H01L 21/00

FI (5件)：

H01L 21/66 Z ,  H01L 21/66 C ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/00 ,  G06F 15/60 666 A