特許

J-GLOBAL ID：200903046528854872

半導体装置

発明者： 松木 純一
出願人/特許権者： 山形日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-191506
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045671
出願日： 1993年08月03日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】ボンディングパッド電極下部に、空隙部を設けることにより、寄生容量の低減を図り、高周波用トランジスタの高周波特性を向上させる。【構成】ボンディングパッド第2電極5下部に、升目状に、縦1μm,横1μm,深さ0.75μm程度の空隙部7を設けることで、空隙部7上部のボンディングパッド第2電極5の寄生容量を3分の2程度に低減でき、高周波用トランジスタの高周波特性を向上することができる。

請求項（抜粋）：

能動領域の引き出し第1電極及びボンディングパッドとなる第2電極の電極2層構造をもつ半導体装置において、前記第1電極と接続される前記第2電極の下部に、空隙部を設けることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/60 321 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/90 V ,  H01L 21/90 J