特許
J-GLOBAL ID：200903046528915960
クラスレート化合物薄膜の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-105106
公開番号（公開出願番号）：特開平11-293460
出願日： 1998年04月15日
公開日（公表日）： 1999年10月26日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板上にクラスレート化合物薄膜を形成する方法を提供する。これによりクラスレート化合物のデバイスへの応用を可能とする。【解決手段】 IV族元素基板上にアルカリ金属等の蒸着膜を形成した後、該基板を希ガス雰囲気下で加熱処理し、その後真空中で加熱処理する。希ガス雰囲気下の加熱処理は100〜650°C、真空中での加熱処理は250〜650°Cで行う。
請求項（抜粋）：
(A)IV族元素基板上にアルカリ金属の蒸着膜を形成した後、該基板を希ガス雰囲気下で加熱処理する工程と、(B)該基板を真空中で加熱処理する工程とを含むことを特徴とするクラスレート化合物薄膜の作製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/58 A
, C01B 33/02
