特許

J-GLOBAL ID：200903046533482193

薄膜コンデンサ

発明者： 西川 洋行
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-043979
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243032
出願日： 1998年02月25日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：

【要約】【課題】容量を低下させることなく、製造工程において発生する応力を容易に緩和できる薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】基板1上に、電極2、誘電体層4、電極5を順次積層してなる薄膜コンデンサにおいて、基板1と電極2との間および/または電極2、5と誘電体層4との間に、Nbおよび/またはTaからなる応力緩和層3を形成するとともに、室温から500°Cにおける基板1、電極2、5、誘電体層4、応力緩和層3の熱膨張係数をそれぞれα<SB>1 </SB>、α<SB>2 </SB>、α<SB>3 </SB>、α<SB>4 </SB>とした時、α<SB>1 </SB><α<SB>4 </SB><α<SB>2 </SB>および/またはα<SB>3 </SB><α<SB>4 </SB><α<SB>2 </SB>を満足するものである。

請求項（抜粋）：

基板上に、電極、誘電体層、電極を順次積層してなる薄膜コンデンサにおいて、前記基板と前記電極との間および/または前記電極と前記誘電体層との間に、Nbおよび/またはTaからなる応力緩和層を形成するとともに、前記基板、前記電極、前記誘電体層、前記応力緩和層の室温から500°Cにおける熱膨張係数をそれぞれα<SB>1 </SB>、α<SB>2 </SB>、α<SB>3 </SB>、α<SB>4 </SB>とした時、α<SB>1 </SB><α<SB>4 </SB><α<SB>2 </SB>および/またはα<SB>3 </SB><α<SB>4 </SB><α<SB>2 </SB>を満足することを特徴とする薄膜コンデンサ。