特許
J-GLOBAL ID：200903046535440250
光起電力素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-039913
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238894
出願日： 1998年02月23日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 優れた変換効率を長期的に安定させ、さらには半導体層と導電性基板の密着性を向上させた光起電力素子を提供する。【解決手段】 導電性基板上にn型半導体層、i型半導体層、p型半導体層からなる光起電力素子を直列に2組積層し、光入射側の光起電力素子のi型半導体層が微結晶シリコンを含む。導電性基板側の光起電力素子のi型半導体層が微結晶シリコン、非晶質シリコン又は非晶質シリコンゲルマニウムを含む。n型半導体層、i型半導体層、p型半導体層が、10MHz〜10GHzの高周波を用いたCVD法で形成された。
請求項（抜粋）：
導電性基板上にn型半導体層、i型半導体層、p型半導体層からなる光起電力素子を直列に2組積層した光起電力素子において、光入射側の光起電力素子のi型半導体層が微結晶シリコンを含むことを特徴とする光起電力素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 31/04 B
, H01L 31/04 V
, H01L 31/10 A
