特許

J-GLOBAL ID：200903046537361528

半導体用リードフレーム

発明者： 秋野 久則 ,  珍田 聡 ,  友部 政勝
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-241457
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077593
出願日： 1998年08月27日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】半導体用リードフレームの加熱後のはんだ付け性、W/B性を優れたものにする。【解決手段】銅合金から成るリードフレーム基材5上の全面にニッケルめっき膜6、パラジウムめっき膜7、金フラッシュめっき膜8を形成するリードフレームにおいて、ニッケルめっき膜6とパラジウムめっき膜7の中間にニッケル合金めっき膜9を形成し、4層構造めっきの半導体用リードフレーム1とする。

請求項（抜粋）：

銅又は銅合金からなる基材上の全面にニッケルめっき膜を設け、その上方にパラジウムめっき膜を、更に、その上方に金フラッシュめっき膜を設けたリードフレームにおいて、ニッケルめっき膜とパラジウムめっき膜の中間にニッケル合金めっき膜を形成したことを特徴とする半導体用リードフレーム。

IPC (3件)：

H01L 23/50 ,  C25D 5/12 ,  C25D 7/12

FI (3件)：

H01L 23/50 D ,  C25D 5/12 ,  C25D 7/12

Fターム (12件)：

4K024AA03 ,  4K024AA11 ,  4K024AA12 ,  4K024AA15 ,  4K024AB04 ,  4K024BA09 ,  4K024BB13 ,  4K024GA04 ,  4K024GA14 ,  5F067DC19 ,  5F067DC20 ,  5F067EA04