半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-196346
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041481
出願日： 1991年08月06日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】【目的】ヒューズ溶断の際に、基板への突き抜けを防ぐ。【構成】溶断されるヒューズ素子の第2層多結晶シリコン膜10と半導体基板(1)の間に、第1層多結晶シリコン膜9を形成する。この第1層多結晶シリコン膜9は、第1層多結晶シリコン膜6の直下に設ける。これによって、レーザ光照射の際に基板へ突き抜け難くなる。

請求項（抜粋）：

半導体チップの所定の絶縁膜上に形成された第1層多結晶シリコン膜と、前記第1層多結晶シリコン膜上に第1層間絶縁膜を介して設けられた第2層多結晶シリコン膜を含むヒューズ素子と、前記ヒューズ素子の第2層多結晶シリコン膜を被覆する第2層間絶縁膜に設けられたレーザ光照射用の開口とを有することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2件)：

H01L 27/04 , H01H 85/175

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭57-075442
特開昭52-028280
特開平2-277264

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