特許

J-GLOBAL ID：200903046540490770

窒化珪素回路基板、半導体装置及び窒化珪素回路基板の製造方法

発明者： 角野 裕康 ,  堀口 昭宏 ,  加曽利 光男 ,  上野 文雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-063515
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154719
出願日： 1998年03月13日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：

【要約】【課題】 窒化珪素セラミック板と金属回路板との接合の強度及び信頼性が向上した窒化珪素回路基板及び半導体装置を提供する。【解決手段】 窒化珪素回路基板1において、アルミナ成分を含む化合物を含有する中間層3を介して窒化珪素セラミック板2と金属回路板4,5とが接合され、中間層のアルミナ成分濃度は窒化珪素セラミック板側よりも金属回路板側において高い。窒化珪素セラミック板上に形成された中間層をアルミナを含有する固体面に接触させながら加熱してアルミナ成分濃度を調整する。又、チタン及び窒素により接合強度が更に改善される。

請求項（抜粋）：

酸化アルミニウム成分を含む化合物を含有する中間層を介して窒化珪素セラミック板と金属回路板とが接合されている窒化珪素回路基板であって、該中間層の酸化アルミニウム成分濃度は該窒化珪素セラミック板側よりも該金属回路板側において高いことを特徴とする窒化珪素回路基板。

IPC (3件)：

H01L 23/15 ,  C04B 37/02 ,  H05K 3/20

FI (3件)：

H01L 23/14 C ,  C04B 37/02 A ,  H05K 3/20 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 高熱伝導性窒化けい素回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-034933   出願人：株式会社東芝
• 特開昭62-078166