半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-287466
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121716
出願日： 1997年10月20日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】フォトレジストの開口サイズを緩くすることができ、リソグラフィーの位置合わせズレによるコンタクトホールサイズの変動がなく、且つ、トランジスタのホットキャリア効果に対する耐性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10と、半導体基板10上に形成され、隣接する2つの導電体パターンを有する導電膜20と、導電膜20の上面を覆うエッチングストッパ膜22と、2つの導電体パターン間の半導体基板10に達し、端部が2つの導電体パターン上のエッチングストッパ膜22上に位置するコンタクトホール30が形成された絶縁膜28と、コンタクトホール30内の導電膜20及びエッチングストッパ膜22の側壁に形成されたサイドウォール絶縁膜32とにより半導体装置を構成する。

請求項（抜粋）：

下地基板と、前記下地基板上に形成され、隣接する2つの導電体パターンを有する第1の導電膜と、前記第1の導電膜の上面を覆うエッチングストッパ膜と、前記エッチングストッパ膜上及び前記下地基板上に形成された絶縁膜であって、2つの前記導電体パターン間の前記下地基板に達し、端部が2つの前記導電体パターン上の前記エッチングストッパ膜上に位置するコンタクトホールが形成された第1の絶縁膜と、前記コンタクトホール内の前記第1の導電膜及び前記エッチングストッパ膜の側壁に形成されたサイドウォール絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/3213 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 27/10 681 B , H01L 21/88 D , H01L 21/90 C

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