特許

J-GLOBAL ID：200903046544914648

過大な入力電圧に対する負荷の保護回路を含む装置及び過大な入力電圧に対する負荷の保護方法

発明者： リチャード・ケイ・ウィリアムズ
出願人/特許権者： シリコニックス・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大島 陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-292197
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213619
出願日： 1995年10月13日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【課題】 過大な電圧から負荷を保護するための改善された保護回路を含む装置及び改善された負荷の保護方法を提供すること。【解決手段】 本発明による保護回路は負荷に直列に接続されたデプレッション型MOSFETを含むことを主な特徴とする。実施例に応じて、このMOSFETのゲートは、ソース、グランド、ソース電圧とグランドとの間の基準電圧に接続され得る。或いは、過電圧発生時にゲートの接続先を切り替えるようにすることもできる。ゲート電圧を負帰還によって制御してもよい。

請求項（抜粋）：

入力電圧源と、前記入力電圧の過大な値から保護すべき負荷とを含む装置であって、当該装置は保護回路を含み、前記保護回路が、ドレインが前記保護回路の入力に接続され、ソースが前記保護回路の出力に接続され、ゲートがある値の電圧に接続されたデプレッション型MOSFETを含み、前記入力電圧が過大な値になると前記デプレッション型MOSFETが飽和し、それによって前記負荷が過大な電流から保護されるようになっていることを特徴とする過大な入力電圧に対する負荷の保護回路を含む装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 23/62 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 29/78 301 K ,  H01L 23/56 A ,  H01L 27/04 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-179223
  
• 特開昭51-081579
  
• 特開昭50-120919