特許

J-GLOBAL ID：200903046546070323

半導体装置の製造方法

発明者： 小林 舞子 ,  清水 悟
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-118384
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291395
出願日： 1992年04月10日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の素子分離領域を、素子形成領域が設計値どおりの寸法となるように、また基板内部にストレスを発生しないように形成する。【構成】 素子分離を形成する溝3にサイドウォール11を形成し、該サイドウォール11をマスクとして、熱酸化により基板内部に熱酸化層を形成し、この熱酸化層をエッチング除去した後、再びサイドウォール11をマスクとして、熱酸化により基板内部に熱酸化層13を素子形成領域が島状または島状に近い状態になるように形成する。【効果】 サイドウォールにより、熱酸化の際に溝の幅が広がるのを防止でき、素子分離領域の幅を寸法通りに制御性よく形成できる。

請求項（抜粋）：

素子分離領域に、半導体基板中に形成した高濃度不純物層に達する溝を形成する工程と、該溝の底部に第1の酸化層を設ける工程と、前記溝の両側壁にサイドウォールを設ける工程と、熱酸化により前記溝の底部に第2の酸化層を形成し、これを除去する工程と、該第2の酸化層の除去部に、再度、熱酸化により第3の酸化層を形成し、素子形成領域を島状、あるいは島状に近い形状に形成する工程と、前記サイドウォールを取り除く工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。