特許

J-GLOBAL ID：200903046548174134

半導体記憶装置のリフレッシュタイマ

発明者： 田口 眞男
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石川 泰男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-016925
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217369
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 メモリセルのリフレッシュ周期を規定するセルフリフレッシュタイマに関し、比較的精度の悪い発振器を用いた場合でも1度のトリミングで簡単かつ正確にリフレッシュ信号のタイムインターバルを設定しうる半導体記憶装置のリフレッシュタイマおよびその調整方法を提供することを目的とする。【構成】 メモリセルのリフレッシュ動作を必要とする半導体記憶装置6のリフレッシュ信号φREF を出力するリフレッシュタイマ1において、所定周波数の発振信号φOSC を出力する発振手段2と、前記発振信号φOSC の周波数を分周する分周手段3と、前記分周手段3の分周周期を前記メモリセルのリフレッシュ周期に適合する値に調整可能な調整手段4と、を備えて構成する。

請求項（抜粋）：

メモリセルのリフレッシュ動作を必要とする半導体記憶装置(6)のリフレッシュ信号(φREF )出力するリフレッシュタイマ(1)において、所定周波数の発振信号(φOSC )を出力する発振手段(2)と、前記発振信号(φOSC )の周波数を分周する分周手段(3)と、前記分周手段(3)の分周周期を前記メモリセルのリフレッシュ周期に適合する値に調整可能な調整手段(4)と、を備えたことを特徴とする半導体記憶装置のリフレッシュタイマ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-046190
  
• 特開平2-246088
  
• 特開平2-195595