集積回路装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-012503
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224404
出願日： 1993年01月28日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 InP等からなる素子構造を、Si等の格子定数の異なる半導体単結晶基板上に直接接着することにより、素子特性の良い集積回路装置を製造する。【構成】シリコン単結晶基板1上にSiを材料とする素子2〜5を形成し、InP単結晶基板5のエッチストップ層6上に素子にに必要な層構造7〜9をを形成し、その基板5ごとSi基板1上に接触させ、熱処理によって直接接着させ、その後,InP基板5を除去することにより、集積回路装置をを作製する。これにより、SI素子InP素子ともに、素子特性を劣化させることなく、集積回路装置が得られる。

請求項（抜粋）：

第1半導体単結晶基板の表面部に第1半導体単結晶の複数の電気もしくは光素子の構造が形成され、且つ少なくとも所定の表面領域で第1半導体単結晶が露出している第1基板体、を準備する工程と、第2半導体単結晶基板の表面全面にその第2半導体単結晶と格子整合している半導体結晶のエッチストップ層が形成され、そのエッチストップ層上に第2半導体単結晶と格子整合している半導体結晶からなる第2半導体単結晶系の複数の電気もしくは光素子の層構造がそれら素子の頂面を揃えて形成され、且つそれらの頂面で単結晶が露出している第2基板体、を準備する工程と、表面処理によって第1基板体の前記単結晶露出表面に水酸基を結合させる工程と、表面処理によって第2基板体の前記単結晶露出頂面に水酸基を結合させる工程と、第1半導体単結晶の前記露出表面と第2半導体単結晶の頂面とを接触させた状態で低温の熱処理を行う工程と、その後、前記エッチストップ層をエッチングストッパとして前記第2半導体単結晶基板をエッチング除去し、更にそのエッチストップ層を超音波振動によって除去する工程と、を備えたことを特徴とする集積回路装置の製造方法。

前のページに戻る