特許

J-GLOBAL ID：200903046552111678

薄膜半導体装置の製造方法および装置

発明者： 中嶋 英晴
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 大石 皓一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-356026
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176814
出願日： 1999年12月15日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 エネルギービームによって、加熱溶融された半導体薄膜の一部がアモルファス化することを確実に、かつ、効果的に防止して、表面平滑性に優れ、高移動度で均一な半導体薄膜を有する薄膜半導体装置を製造することのできる薄膜半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】 基板11に形成された非単結晶半導体の半導体薄膜10に、主レーザビーム3を照射し、主レーザビーム3により、半導体薄膜10を走査して、非単結晶半導体を結晶化させる薄膜半導体装置の製造方法および装置であって、主レーザビーム3の走査方向に対して、主レーザビーム3が照射される半導体薄膜10の加熱溶融すべき領域のトレーリングエッジ領域の上流側に隣接する半導体薄膜10の隣接領域14を副レーザビーム6によって照射することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法および装置。

請求項（抜粋）：

基板に形成された非単結晶半導体の半導体薄膜に、第一のエネルギービームを照射し、前記第一のエネルギービームによって、前記半導体薄膜を走査して、前記非単結晶半導体を結晶化させる薄膜半導体装置の製造方法であって、前記第一のエネルギービームの走査方向に対して、前記第一のエネルギービームが照射される前記半導体薄膜の加熱溶融すべき領域のトレーリングエッジ領域の上流側に隣接する前記半導体薄膜の隣接領域を第二のエネルギービームによって照射することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/263

FI (7件)：

H01L 21/268 F ,  H01L 21/268 G ,  H01L 21/268 T ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/263 F ,  H01L 21/263 Z

Fターム (8件)：

5F052AA02 ,  5F052AA03 ,  5F052BA02 ,  5F052BA14 ,  5F052BA17 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052FA07