半導体記憶装置およびその書き込み方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-088938
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288468
出願日： 1995年04月14日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【構成】半導体基板1と、半導体基板1上に設けるフィールド酸化膜2と、フィールド酸化膜2上に設ける第1の電極3と、第1の電極表面に設けるメモリ酸化膜4と、メモリ酸化膜4上に設ける第2の電極5と、第1の電極3と第2の電極5のそれぞれの電位を設定するアルミ配線7とを有し、この第2の電極5は第1の電極3上面に設けるメモリ酸化膜4のみに接する領域を有する半導体記憶装置およびその書き込み方法。【効果】周辺の半導体素子の高耐圧化を必要としないほど、メモリ酸化膜の膜厚が3nmから5nmと薄く、かつ、書き込み後の第1の電極と第2の電極との間の抵抗値のバラツキが小さい高品質な半導体記憶装置を供給する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、半導体基板上に設けるフィールド酸化膜と、フィールド酸化膜上に設ける第1の電極と、第1の電極表面に設けるメモリ酸化膜と、メモリ酸化膜上に設ける第2の電極と、第1の電極と第2の電極とのそれぞれの電位を設定する金属配線とを有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 27/10 431 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 431 , H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭63-144546
特開昭64-077957
特開平3-138976

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