半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-248081
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098021
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】酸化シリコンに微細な接続孔を開口する際、高選択で精度の良い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】一般式がCmFn(ただしm、nは原子数を示す自然数であり、m≧2、n≦2mの条件を満足する。)で表されるフルオロカーボン化合物と、酸素にArガスのような不活性ガスを混合し、プラズマ化してエッチングすることにより、酸化シリコン膜に微細な接続孔を開口する。また、酸化シリコン膜のエッチングを下地材料層が露出する直前までのパーシャルエッチング工程とそれ以降のオーバーエッチング工程の2工程に分け、オーバーエッチング工程においてエッチングガスの組成における不活性ガスの含量比を減ずることにより、酸化シリコン膜に微細な接続孔を開口する。

請求項（抜粋）：

一般式がCmFn(ただしm、nは原子数を示す自然数であり、m≧2、n≦2mの条件を満足する。)で表されるフルオロカーボン化合物と、酸素と不活性ガスを含むエッチングガスを用いてシリコン化合物層をエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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