特許

J-GLOBAL ID：200903046557759021

フローティングメンブレン

発明者： 中川 剛 ,  上嶋 啓史 ,  中津川 義明
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-091860
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264844
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】フローティングメンブレンの大面積化と耐破壊性の向上。【構成】Si基板3上に、矩形の四隅に梁4を放射状に設けたフローティングメンブレン1は、周辺部が梁4と同様、酸化シリコン(SiO2)膜で出来ており、中央部分がSi3N4 膜2で形成されている。メンブレン1の中央部分を予めSi3N4 膜2で置き換えると、内部応力が相殺されて破壊を防止できる。あるいは、メンブレン1を形成するSiO2膜に燐(P) などのV族元素を添加すると、膜中に非架橋性酸素が生成されて、膜のヤング率が低下するので、0.4 wt%から3.0 wt%の添加量で内部応力を破壊応力より低下させることができる。この結果、メンブレンの大面積化が 400μm角程度まで可能となり、高感度で高分解能な熱型センサが実現できる。

請求項（抜粋）：

基板上に、梁によって支えられて中空構造を成し、フローティング状態となったメンブレンを備え、前記メンブレンと前記梁が、V族元素を添加した酸化シリコン(SiO2)膜から成る高断熱構造を有することを特徴とするフローティングメンブレン。

IPC (4件)：

H01L 35/00 ,  G01J 5/02 ,  G01N 27/12 ,  G01N 27/18

FI (4件)：

H01L 35/00 S ,  G01J 5/02 P ,  G01N 27/12 B ,  G01N 27/18