特許

J-GLOBAL ID：200903046558757120

半導体素子の製造方法

発明者： 稲庭 桂造 ,  立古 昇
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-179221
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029241
出願日： 1991年07月19日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】 トランジスタ等の半導体素子の製造プロセスで、素子構造が完成した電極形成後の段階で、hFE値を調整することのできる製造技術を提供する。【構成】 半導体素子の電極形成後の不純物拡散層に粒子線を照射した状態で400°Cないし600°Cの熱処理を行ない、不純物拡散層を変位させることにより素子の電気的特性を制御する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面に不純物拡散層を形成し、上記不純物拡散層表面に抵抗接続する電極を形成した後において、基板に対し粒子線を照射しながら、もしくは粒子線を照射後に、前記電極を損わない温度で熱処理を行なうことにより、上記不純物拡散層を変位させて半導体素子の電気的特性を制御することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/263 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 21/265 B ,  H01L 29/72