特許
J-GLOBAL ID：200903046560917096
エピタキシャル成長用サセプタ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-121133
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327761
出願日： 2003年04月25日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：
【課題】ウエーハを水平に保持してエピタキシャル成長を行う水平円盤型サセプタでのウエーハとサセプタのスティッキング現象を防止する。【解決手段】ウエーハ8を水平に収容する凹部7を、サセプタ3の上面に設ける。凹部7の底面外周部に凸部9を設ける。凸部9は、凹部7の底面10を内周側より上方へ突出させることにより形成されており、その高さはウエーハ8の厚みの0.2〜0.4倍である。凹部7内に載置されたウエーハ8が定位置から径方向へスライドしたときに、ウエーハ8の外周縁部裏側のテーパー面12に凸部7が当接することにより、ウエーハ8が前記定位置の近傍に保持される。ウエーハ8が凹部7の内周面11に接触する事態が回避されることにより、スティッキングの原因となるブリッジの発生が抑制される。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
エピタキシャル成長に使用され、対象ウエーハをほぼ水平に収容する凹部が上面に設けられた水平円盤型のサセプタにおいて、前記凹部の底面を内周側より上方へ突出させることにより形成されており、且つ前記凹部内に載置されたウエーハが凹部内の定位置から径方向へスライドしたときに該ウエーハの外周縁部裏側のテーパー面に当接することにより該ウエーハを前記定位置の近傍に保持する凸部が、前記底面の外周部に設けられていることを特徴とするエピタキシャル成長用サセプタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
4K030GA02
, 4K030GA05
, 4K030GA06
, 5F045DP15
, 5F045DP27
, 5F045DQ06
, 5F045EM02
, 5F045EM10
