特許

J-GLOBAL ID：200903046561132513

基板処理装置

発明者： 境 正憲 ,  加賀谷 徹 ,  森田 慎也
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-234899
公開番号（公開出願番号）：特開2003-041367
出願日： 2001年08月02日
公開日（公表日）： 2003年02月13日
要約：

【要約】【課題】 励起する必要のあるガスと励起する必要のないガスを励起手段の配下に置かれる共通供給系に流しても、励起する必要のないガスを励起させないで適切に反応室に供給することができるようにする。【解決手段】 基板を処理する反応室2にガスを供給する共通配管8が設けられる。共通供給系L8、個別配管6、7にて個別に送られてくる励起する必要のあるガスと励起する必要のないガスとを流す。共通配管8には、共通配管8を流れるガスを励起する機能を有する励起手段13が設けられる。制御手段14は、個別配管6、7に設けられた制御弁11、12の開閉を制御するとともに、共通配管8に励起する必要のあるガスを流すときは、励起手段13を機能させ、励起する必要のないガスを流すときは励起手段13の機能を停止もしくは低下させる。

請求項（抜粋）：

基板を処理する反応室と、前記反応室に連通し、個別に送られてくる励起する必要のあるガスと励起する必要のないガスとを前記反応室に共通に供給する共通供給系と、前記共通供給系を流れるガスを励起する機能を有する励起手段と、前記共通供給系に前記励起する必要のあるガスを流すときは、前記励起手段を機能させ、前記励起する必要のないガスを流すときは前記励起手段の機能を停止もしくは低下させる制御手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/31 B

Fターム (21件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030KA49 ,  4K030LA15 ,  5F045AA15 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AF03 ,  5F045BB07 ,  5F045BB10 ,  5F045EC07 ,  5F045EE07 ,  5F045EE08 ,  5F045EE19 ,  5F045EH18 ,  5F045GB15