特許

J-GLOBAL ID：200903046567883766

半導体装置及びその製造方法

発明者： 加藤 益雄 ,  村 満 ,  佐々木 大 ,  鶴見 正美 ,  櫻井 勉
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-335979
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164619
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の回路が微細化され、出力電極パッドが縮小されても、半導体素子上の突起電極と回路基板上の配線パターンとの接続導通の信頼性を確保できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 回路基板4に形成された短冊形状の電極パッド6上に導電部材として第1及び第2の金属突起電極2,10を形成する。このようにして電極パッド6上に第1及び第2の金属突起電極2,10を形成した半導体素子1をフェースダウンボンディングにより回路基板4の配線パターン5上に実装する。この実装の際には、半導体素子1と回路基板4との間に光硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂の樹脂層3を介在させ、ボンディング後に加圧しながら光硬化又は熱硬化させる。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、該半導体素子の上面に形成され、所定の間隔をおいて形成された複数の電極部と、該電極部上に形成された第1の導電部材と、該第1の導電部材上に形成され、該電極部の狭い側の幅より広い幅を有する第2の導電部材と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/92 602 B ,  H01L 21/60 311 S

Fターム (3件)：

5F044KK02 ,  5F044QQ02 ,  5F044QQ04