特許

J-GLOBAL ID：200903046568905232

半導体装置の密着層及びメタルプラグ形成方法

発明者： 佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-092389
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267220
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】高耐熱性で且つ優れた密着性を有し、形成時にパーティクルの生成が少なく、しかも、形成時の原料ガスの制御が容易であり、更には、特性の安定した、半導体装置のメタルプラグのための密着層を提供する。更には、かかる密着層の形成を含むメタルプラグの形成方法を提供する。【構成】密着層は、TiBX、TiCX、TiBXN1-X又はTiCXN1-Xから成る群から選ばれた組成から成る。また、メタルプラグ形成方法は、(イ)半導体基板100上に形成された層間絶縁層104に開口部106を形成する工程と、(ロ)TiBX、TiCX、TiBXN1-X又はTiCXN1-Xから成る群から選ばれた組成から成る密着層110を、層間絶縁層の上面及び開口部内に形成する工程と、(ハ)金属材料112を開口部内に形成する工程、から成る。

請求項（抜粋）：

TiBX、TiCX、TiBXN1-X又はTiCXN1-Xから成る群から選ばれた組成から成ることを特徴とする、半導体装置のメタルプラグのための密着層。

IPC (3件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/90