特許

J-GLOBAL ID：200903046574108166

レジストパターンの形成方法

発明者： 時友 一雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-103288
公開番号（公開出願番号）：特開平5-297597
出願日： 1992年04月23日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 レジストパターンの形成に関し、ハーフ・サブミクロンのパターンを解像性よく形成することを目的とする。【構成】 被処理基板上に架橋剤を添加したポジ型レジストを被着した後、このレジスト上に化学増幅型のネガ型X線レジストを塗布し、X線の選択露光と露光後ベークを行い、現像してX線レジストよりなるパターンを形成した後、紫外線の全面露光を行い、アルカリ現像することを特徴としてレジストパターンの形成方法を構成する。

請求項（抜粋）：

被処理基板上に架橋剤を添加したポジ型レジストを被着した後、該レジスト上に化学増幅型のネガ型X線レジストを塗布し、X線の選択露光と露光後ベークを行い、現像してX線レジストよりなるパターンを形成した後、紫外線の全面露光を行い、アルカリ現像することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/30 301 C ,  H01L 21/30 361 S ,  H01L 21/30 361 L