特許
J-GLOBAL ID：200903046579227457
ドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-121232
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333880
出願日： 1993年05月24日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 素子のエッチング断面を簡便かつ確実に鏡面にすることができるドライエッチング方法を提供することを目的とする。【構成】素子のエッチング断面163にほぼ平行にイオンビームが通過するようにし、かつ、イオンビームがエッチング断面163に入射する角度を半導体基板2の回転軸Jを中心にしてP,Q方向に回転させて変化させるようにしている。従って、レジスト43端面に凹凸があっても、素子のエッチング断面163に凹凸が生じることを防止することができる。
請求項（抜粋）：
方向性のあるイオンビームを被食刻基板に照射させて、被食刻基板上のマスク面を除いたエッチング面をエッチングするドライエッチング方法において、該マスク面のエッチング断面に沿ってほぼ平行にイオンビームを通過させるようにするとともに、該エッチング断面内を通過するイオンビームが被食刻基板に入射する角度を変化させるようにしたこと、を特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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