特許
J-GLOBAL ID：200903046580609584
半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-059324
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252275
出願日： 1993年02月25日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 電子サイクロトロン共鳴法を用いたECRプラズマCVD堆積法による絶縁膜を、塗布方法またはTEOS-CVD法により形成される絶縁膜の少なくとも下層に形成し、絶縁膜からの水分をブロッキングし、素子のホットキャリア劣化を抑える。【構成】 表面に素子分離領域1およびゲート絶縁膜3を形成したシリコン基板4上にゲート電極2,絶縁膜5および配線金属6を形成した後、この配線金属6上にECRプラズマCVD法によるSiO2 の第1の層間膜7を形成し、この第1の層間膜7上にオゾンTEOSの分解反応を利用する常圧CVD法によりオゾンTEOS-SiO2 の第2の層間膜8を形成した後にこの第2の層間膜8にECR法により酸素プラズマをに照射し、水分を脱離した後、さらに同じく窒素プラズマにより表面を窒化し、水分の吸湿を抑えた後に同一真空内で連続してECRプラズマCVD法により第3の層間膜9を形成する。
請求項（抜粋）：
電子サイクロトロン共鳴法によるプラズマにより第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に塗布法または化学気相成長法により第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜に電子サイクロトロン共鳴法による活性ガスのプラズマを照射する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/90
, H01L 21/312
, H01L 21/316
, H01L 21/3205
, H01L 29/784
H01L 21/88 K
, H01L 29/78 301 N
