傾斜組成複合メッキ皮膜の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-119919
公開番号（公開出願番号）：特開平8-311696
出願日： 1995年05月18日
公開日（公表日）： 1996年11月26日
要約：

【要約】【目的】密着性に優れた質の良い傾斜組成複合メッキ皮膜を簡単な方法で効率良く形成することができる傾斜組成複合メッキ皮膜の形成方法を提供すること。【構成】スルファミン酸ニッケルを主成分とするメッキ浴4中に、SiCの粒子3が所定の分散濃度で一様に分散されたものを用い、そのメッキ浴4中に陽極5と被メッキ物である基材1(陰極)を配置し、これらに直流電源6を接続する。また、メッキ浴4の底面には、メッキ浴4中の粒子分散を均一にするために攪拌装置7を設ける。そして、メッキ浴のメッキ液温と両極に印加する電流密度とを連続的に制御することによって、メッキ皮膜の膜厚方向に対して粒子含有量を異ならせた傾斜組成複合メッキ皮膜を基材1上に形成する。

請求項（抜粋）：

メッキ皮膜の膜厚方向に対して粒子含有量を異ならせた複合メッキ皮膜を基材の表面に形成する複合メッキ皮膜の形成方法であって、粒子が分散された所定濃度のメッキ浴中に前記基材を浸漬した状態で、そのメッキ浴のメッキ液の温度と前記基材に印加する電流の電流密度とを連続的に制御することにより、メッキ皮膜の膜厚方向に対して粒子含有量が異なる複合メッキ皮膜を前記基材の表面に形成することを特徴とする傾斜組成複合メッキ皮膜の形成方法。

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