特許
J-GLOBAL ID：200903046581876411

電子装置

発明者：
トーマス メレディス ブラウン

トーマス メレディス ブラウン について

, 
ヘニング シリンガス

ヘニング シリンガス について


出願人/特許権者：
プラスティック ロジック リミテッド

プラスティック ロジック リミテッド について


代理人 (4件)： 小谷 悦司 ,  伊藤 孝夫 ,  樋口 次郎 ,  櫻井 智
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-559888
公開番号（公開出願番号）：特表2006-510210
出願日： 2003年12月12日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：
多層構造の電子装置を形成する方法であって、横に延びる第1層に断面を規定するステップと、前記第1層の最上部に少なくとも1つの非平坦層を堆積させて、該非平坦層の表面の断面が前記横に延びる第1層の断面と同じにするステップと、前記非平坦層の最上部に少なくとも1つの追加層のパターンを堆積させて、該追加層の横位置が前記非平坦層の断面の形状によって規定されて該追加層が前記第1層の断面と外側で整合するステップとを備える。
請求項（抜粋）：
多層構造の電子装置を形成する方法であって、 横に延びる第1層に断面を規定するステップと、 前記第1層の最上部に少なくとも1つの非平坦層を堆積させて、該非平坦層の表面の断面が前記横に延びる第1層の断面と同じにするステップと、 前記非平坦層の最上部に少なくとも1つの追加層のパターンを堆積させて、該追加層の横位置が前記非平坦層の断面の形状によって規定されて該追加層が前記第1層の断面と外側で整合するステップとを備える方法。
IPC (6件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 51/05
FI (9件)：
H01L29/78 627C ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653B ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626A ,  H01L29/28
Fターム (50件)：
4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD22 ,  4M104DD28 ,  4M104DD51 ,  4M104EE03 ,  4M104EE18 ,  4M104FF01 ,  4M104FF06 ,  4M104GG08 ,  4M104GG19 ,  5F110AA01 ,  5F110AA02 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD21 ,  5F110DD24 ,  5F110EE01 ,  5F110EE47 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110GG45 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110HK41 ,  5F110HM12 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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