特許
J-GLOBAL ID：200903046582458400
半導体発光素子の処理法及び処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅賀 一樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-108905
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283435
出願日： 1994年04月12日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 高価な装置を必要とせず、工程が簡単で、1個1個に裁断する前に処理する形成法、ならびに裁断後に固着し電気的接続を行なった後に処理する形成法のいずれの方法でも成膜でき、密着性と耐湿性に優れた保護用の被膜を形成することができる半導体発光素子の処理法とその処理装置を提案する。【構成】 半導体発光素子を水蒸気存在下で加熱処理することにより、該発光素子の表面に耐湿性と密着性に優れた保護用の被膜を形成させることを特徴とする半導体発光素子の処理法と、加熱手段1を備え水蒸気雰囲気を維持する加熱反応器本体1′及び水蒸気含有気体を生成する水蒸気発生部4′とから構成された半導体発光素子の処理装置。
請求項（抜粋）：
半導体発光素子を水蒸気存在下で加熱することにより、該半導体発光素子の表面に被膜を形成させることを特徴とする半導体発光素子の処理法。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/31
, H01L 21/316
