特許

J-GLOBAL ID：200903046583472148

半導体発光装置およびその製造方法

発明者： 尾藤 喜文 ,  岸本 達也
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
代理人 (1件)： 根本 進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-261166
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102551
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：

【要約】【構成】 素子基板4の表面4aにLED5が形成されている半導体発光装置1において、その素子基板4の裏面4bに形成される電極層7は、導電層3を介して回路基板2の配線8に接続される。その素子基板4の裏面4bは粗面とされ、その粗面の段差により前記電極層7の配線8との接続面7aが粗面とされる。【効果】 相隣接する半導体発光装置の電極層間が導電層を介し短絡するのを防止でき、しかも、その電極層の材料は限定されないので素子基板にオーミック接触する材料とすることができる。

請求項（抜粋）：

素子基板と、その素子基板の表面に形成されるLEDと、その素子基板の裏面に形成される電極層とを備え、その電極層は導電層を介して回路基板の配線に接続され、その素子基板の裏面は粗面とされ、その粗面の段差により前記電極層の配線との接続面が粗面とされる半導体発光装置。