特許
J-GLOBAL ID：200903046584981070
半導体感圧素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-250290
公開番号（公開出願番号）：特開平6-102121
出願日： 1992年09月21日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】半導体感圧素子の気密性の劣化は特性の変化をもたらすので、気密性劣化が防止され、また万一劣化が起きたときは自己診断できるようにして信頼性を高める。【構成】感圧チップを固定した金属ステムと金属キャップからなるキャンパッケージを樹脂支持体上に加圧して固定し、その支持体とキャンパッケージを樹脂蓋部とそれをカーリングにより固定した金属台座とよりなる外部容器中に収容して2重構造にして気密性、防爆性、信頼性を向上させる。キャンパッケージから下方に引き出された端子は、樹脂支持体中に埋込まれたU字状導体により方向反転され、外部容器上部から引出される。また自己診断はチップ上に形成した拡散抵抗の導電性ガスによる抵抗変化を利用して行う。
請求項（抜粋）：
ダイヤフラム部に感圧ゲージが形成された半導体素体を収容する金属底板とそれと気密に結合された金属蓋体とからなる内部容器が、蓋部と基部とよりなり、蓋部が弾性体を介して基部に加圧されてそれと気密に結合される外部容器中にさらに収容されたことを特徴とする半導体感圧素子。
IPC (3件)：
G01L 9/04 101
, G01L 19/00
, G01L 27/00
