逆導通半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-152417
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321597
出願日： 1995年05月26日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【目的】ダイオードアノード領域及びスイッチング素子部のゲート領域をエピタキシャル成長層で埋め込んだ後の熱処理の低減を可能し、ひいてはゲート・ゲート間のピッチの微細化を図り、更にダイオード部のダイオードアノード電極とスイッチング素子部のカソード電極の高さを等しく形成するなどスイッチング素子部及びダイオード部のターンオン、ターンオフ性能の改善を図ることにある。【構成】ダイオード部の一方導電形のダイオードアノード領域の上部に他方導電形領域が設けられた凸部と他方導電形領域が無い凹部を交互に配置して凹凸面を形成し、ダイオードアノード電極は凹部の一方導電形のダイオードアノード面から凸部の他方導電形領域の上まで連続して形成するものである。

請求項（抜粋）：

埋め込みゲート構造を持つスイッチング素子とダイオードが逆並列に一体化された逆導通半導体装置において、ダイオード部の一方導電形のダイオードアノード領域の上部に他方導電形領域が設けられた凸部と、他方導電形領域が無い凹部を交互に配置して凹凸面を形成し、前記ダイオードアノード電極は凹部の一方導電形のダイオードアノード面から凸部の他方導電形領域の上まで連続して形成した事を特徴とする逆導通半導体装置。

FI (3件)：

H01L 29/74 H , H01L 29/74 F , H01L 29/74 M

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