特許

J-GLOBAL ID：200903046586485577

ヒ-トシンク

発明者： 小林 俊仁 ,  新美 幹夫
出願人/特許権者： 愛知製鋼株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-183383
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006949
出願日： 1991年06月27日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：

【要約】【構成】 パワ-素子がヒ-トシンクを介して搭載される半導体装置において、前記ヒ-トシンクの材料の線膨張係数が3〜7×10- 6 /Kの物質で構成し、該ヒ-トシンク材の表面に少なくとも50μm以上の厚さのCuめっきが施されており、上下・端面すべてにCuめっきされていることを特徴とするヒ-トシンク。【効果】 高放熱性のヒ-トシンクが安価に得られ、さらに、ヒ-トシンク材としての低熱膨張材料の選定と、Cuメッキの厚さを適当に選定すれば、両者の特徴を生かしたヒ-トシンクが得られる。

請求項（抜粋）：

パワ-素子がヒ-トシンクを介して搭載される半導体装置において、前記ヒ-トシンクの材料はMo,Wの金属もしくはその合金、Fe-Ni合金から選ばれた材料で構成し、該ヒ-トシンク材の表面に少なくとも50μm以上の厚さのCuめっきが施されており、上下・端面すべてにCuめっきされていることを特徴とするヒ-トシンク。