特許
J-GLOBAL ID：200903046587898760
SIMS試料評価方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-022425
公開番号（公開出願番号）：特開平10-221278
出願日： 1997年02月05日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 SIMS装置を用いた試料の評価において、試料表面下の深さの浅い部分の評価が容易なSIMS試料評価方法を得る。【解決手段】 深さ-二次イオン強度特性における飽和領域の発生を抑制させる酸素元素を有する酸化膜21をSi基板20表面に加熱により酸化させて形成する。酸化膜21は、Si基板20表面に存在する不純物50を取り込む。その後、SIMS装置の所定の位置に当該試料を設置して酸化膜21の評価を行う。酸化膜21により、入射イオン効果が低減される。このため、二次イオン強度比において、試料表面の二次イオン強度比の精度が高くなり、試料表面の評価が容易に行えるという効果を奏す。
請求項（抜粋）：
深さ-二次イオン強度特性における遷移領域の発生を抑制させるための抑制物質を有する膜を試料表面に形成する第1のステップと、前記第1のステップの後、当該試料表面に一次イオンが入射するように二次イオン分析装置の所定の位置に前記試料を設置し、二次イオン分析装置を用いて、当該試料表面の評価を行う第2のステップと、を備えたSIMS試料評価方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N 23/225
, H01L 21/66 N
