特許
J-GLOBAL ID：200903046589974919
炭化珪素体の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-171383
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021358
出願日： 1991年07月11日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 複数の炭化珪素層を同一基板上に形成した炭化珪素体を得ることができ、しかも多形を制御性よく形成できるようにする。【構成】 第1工程にあっては、シリコン源、カーボン源となるガスに、炭化珪素層3A、3Bが形成されたときに第3元素が適当量ドーピングされるように第3元素用のガスを添加したものを基板1の各領域上で反応させる。これにより、基板1の外周部に炭化珪素層3Aが、中央部に炭化珪素層3Bが成長する。第1工程で使用する第3元素のガス組成は、目的とする多形に応じて種々選択される。その後に行う第2工程では、上述のようにして成長した炭化珪素層3A、3Bを、目的とする多形に応じた雰囲気、圧力又は温度を有する環境下に保持して結晶化させる。
請求項（抜粋）：
基板上の複数の領域に多形の異なる炭化珪素層が形成された炭化珪素体を製造する方法であって、各領域に形成する炭化珪素層へ含有させる第3元素の組成又は含有量を異ならせて炭化珪素層を各領域上に成長させる第1工程と、第1工程で得られた各炭化珪素層を結晶化させる第2工程とを含む炭化珪素体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 25/04
, C30B 29/36
